| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FQB19N20TM |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:D2PAK(TO-263) |
| 描述 | 描述:此N沟道增强型功率MOSFET是使用平面条纹和DMOS专属技术生产的。此先进MOSFET技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 19.4A |
| 功率(Pd) | 3.13W；140W |
| 编号 | C898638 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
FQB19N20TM
¥11.9300
库存 774 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥11.9300 |
| 10 - 99 | ¥10.7370 |
| 100 - 999 | ¥10.1405 |
| 1000 + | ¥9.5440 |