| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FQB34P10TM |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:D2PAK |
| 描述 | 描述:该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 33.5A |
| 功率(Pd) | 3.75W；155W |
| 编号 | C462761 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
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FQB34P10TM
¥54.7600
无货