| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FQD19N10LTM |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252 |
| 描述 | 描述:此N沟道增强型功率MOSFET是使用平面条纹和DMOS专属技术生产的。此先进MOSFET技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 15.6A |
| 功率(Pd) | 2.5W；50W |
| 编号 | C241839 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
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FQD19N10LTM
¥6.2700
无货