| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FQD2N90TM |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252AA |
| 描述 | 描述:此N沟道增强型功率MOSFET是使用平面条纹和DMOS专属技术生产的。此先进MOSFET技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 900V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A |
| 功率(Pd) | 2.5W；50W |
| 编号 | C424487 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
FQD2N90TM
¥40.7000
无货