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FQD2P40TM

¥5.3200

库存 472 件
数量 价格
1 - 9 ¥5.3200
10 - 99 ¥4.7880
100 - 999 ¥4.5220
1000 + ¥4.2560
产品属性 属性值
型号 FQD2P40TM
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:TO-252AA
描述 描述:此P沟道增强型功率MOSFET是使用平面条纹和DMOS专属技术生产的。此先进MOSFET技术特别适用于降低导通电阻,提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 400V
连续漏极电流(Id) 1.56A
功率(Pd) 2.5W;38W
编号 C903731
圆盘 2500个/圆盘

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