| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FQD4P40TM |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252(DPAK) |
| 描述 | 描述:此类P沟道增强型电场效应晶体管是使用平面条纹DMOS专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供出色的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合基于互补半桥的电子灯镇流器。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 400V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A |
| 功率(Pd) | 2.5W；50W |
| 编号 | C903737 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
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FQD4P40TM
¥4.6800
无货