| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FQD5N60CTM |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252-2 |
| 描述 | 描述:此N沟道增强型功率MOSFET使用平面条纹和DMOS专属工艺生产。此先进MOSFET工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A |
| 功率(Pd) | 2.5W；49W |
| 编号 | C467458 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FQD5N60CTM
¥14.0000
库存 945 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥14.0000 |
| 10 - 99 | ¥12.6000 |
| 100 - 999 | ¥11.9000 |
| 1000 + | ¥11.2000 |