| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FQD8P10TM-F085 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252AA |
| 描述 | 描述:此类P沟道增强型电场效应晶体管使用平面条纹DMOS专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于低压应用，如音频放大器、高效开关DC/DC转换器和直流电机控制。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A |
| 功率(Pd) | 2.5W；44W |
| 编号 | C903743 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FQD8P10TM-F085
¥7.3200
库存 22 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥7.3200 |
| 10 - 99 | ¥6.5880 |
| 100 - 999 | ¥6.2220 |
| 1000 + | ¥5.8560 |