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FQN1N50CTA

¥2.1898

无货
产品属性 属性值
型号 FQN1N50CTA
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:TO-92-3
描述 描述:此N沟道增强型功率MOSFET是使用平面条纹和DMOS专属技术生产的。此先进MOSFET技术特别适用于降低导通电阻,提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 500V
连续漏极电流(Id) 380mA
功率(Pd) 2.08W;890mW
编号 C463742
圆盘 2000个/袋

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