产品属性 | 属性值 |
型号 | FQPF6N80C |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:TO-220F-3 |
描述 | 描述:此N沟道增强型功率MOSFET是使用安森美半导体的平面条纹和DMOS专属工艺生产的。此先进MOSFET技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。 |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 5.5A |
功率(Pd) | 51W |
编号 | C11760 |
圆盘 | 50个/管 |

FQPF6N80C
¥15.8100
库存 1841 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥15.8100 |
10 - 99 | ¥14.2290 |
100 - 999 | ¥13.4385 |
1000 + | ¥12.6480 |