欢迎来到GHPCBA.COM               全年质保               联系我们
邮箱:bob@ghchip.cn         电话: +86-18390034300
所有分类
联系电话:+86-0755-82773089

FQPF6N80C

¥15.8100

库存 1841 件
数量 价格
1 - 9 ¥15.8100
10 - 99 ¥14.2290
100 - 999 ¥13.4385
1000 + ¥12.6480
产品属性 属性值
型号 FQPF6N80C
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:TO-220F-3
描述 描述:此N沟道增强型功率MOSFET是使用安森美半导体的平面条纹和DMOS专属工艺生产的。此先进MOSFET技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 800V
连续漏极电流(Id) 5.5A
功率(Pd) 51W
编号 C11760
圆盘 50个/管

Search for products

Back to Top
Product has been added to your cart