| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FQT7N10LTF |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-223-4 |
| 描述 | 描述:此N沟道增强型功率MOSFET是使用安森美半导体的平面条纹和DMOS专属技术生产的。此先进MOSFET技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A |
| 功率(Pd) | 2W |
| 编号 | C154506 |
| 圆盘 | 4000个/圆盘 |
FQT7N10LTF
¥3.6800
库存 2450 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.6800 |
| 10 - 99 | ¥3.3120 |
| 100 - 999 | ¥3.1280 |
| 1000 + | ¥2.9440 |