| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | GT30N135SRA,S1E |
| 品牌 | Toshiba |
| 封装 | |
| 描述 | IGBT 晶体管 DISCRETE IGBT TRANS 1350V |
| 系列 | |
| 发射极最大电压 | 1.35 kV |
| 射极饱和电压 | 2.15 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 25 V, 25 V |
| 连续集电极电流 | 60 A |
| Pd-功率耗散 | 348 W |
| 最小工作温度 | – 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
GT30N135SRA,S1E
库存 4031 件
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | GT30N135SRA,S1E |
| 品牌 | Toshiba |
| 封装 | |
| 描述 | IGBT 晶体管 DISCRETE IGBT TRANS 1350V |
| 系列 | |
| 发射极最大电压 | 1.35 kV |
| 射极饱和电压 | 2.15 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 25 V, 25 V |
| 连续集电极电流 | 60 A |
| Pd-功率耗散 | 348 W |
| 最小工作温度 | – 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |