| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | GT40QR21(STA1,E,D |
| 品牌 | Toshiba |
| 封装 | TO-3PN-3 |
| 描述 | IGBT 晶体管 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A |
| 系列 | GT40QR21 |
| 发射极最大电压 | 1.2 kV |
| 射极饱和电压 | 1.5 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 25 V, 25 V |
| 连续集电极电流 | 40 A |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| 最小工作温度 | – 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
GT40QR21(STA1,E,D
¥28.9619
库存 15 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥28.9619 |
| 10 - 99 | ¥26.0657 |
| 100 - 999 | ¥24.6176 |
| 1000 + | ¥23.1695 |