| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | GT40WR21,Q |
| 品牌 | Toshiba |
| 封装 | TO-3PN-3 |
| 描述 | IGBT 晶体管 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A |
| 系列 | GT40WR21 |
| 发射极最大电压 | 1.8 kV |
| 射极饱和电压 | 2.9 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 25 V, 25 V |
| 连续集电极电流 | 40 A |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| 最小工作温度 | – 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
GT40WR21,Q
¥87.9479
库存 100 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥87.9479 |
| 10 - 99 | ¥79.1531 |
| 100 - 999 | ¥74.7557 |
| 1000 + | ¥70.3583 |