| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | GT50JR22 |
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| 封装 | 封装: TO-3P |
| 描述 | 描述: GT50JR22 |
| IGBT类型 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | |
| 集电极电流(Ic) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C5151667 |
| 圆盘 | 25个/管 |
GT50JR22
¥9.3200
库存 4977 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥9.3200 |
| 10 - 99 | ¥8.3880 |
| 100 - 999 | ¥7.9220 |
| 1000 + | ¥7.4560 |
¥9.3200
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥9.3200 |
| 10 - 99 | ¥8.3880 |
| 100 - 999 | ¥7.9220 |
| 1000 + | ¥7.4560 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | GT50JR22 |
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| 封装 | 封装: TO-3P |
| 描述 | 描述: GT50JR22 |
| IGBT类型 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | |
| 集电极电流(Ic) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C5151667 |
| 圆盘 | 25个/管 |