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GT50N322A

¥38.1601

库存 215 件
数量 价格
1 - 9 ¥38.1601
10 - 99 ¥34.3441
100 - 999 ¥32.4361
1000 + ¥30.5281

产品属性 属性值
型号 GT50N322A
品牌 Toshiba
封装 TO-3PN-3
描述 IGBT 晶体管 Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V
系列 GT50N322
发射极最大电压 1 kV
射极饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 – 25 V, 25 V
连续集电极电流 50 A
Pd-功率耗散 156 W
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

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