| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | HGT1S10N120BNST |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-263AB |
| 描述 | 描述: 耐压:1.2kV 电流:35A IGBT类型:NPT 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):35A 功率(Pd):298W HGT1S10N120BNST 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。 |
| IGBT类型 | NPT |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集电极电流(Ic) | 35A |
| 功率(Pd) | 298W |
| 编号 | 编号: C462131 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
Sold out
HGT1S10N120BNST
¥17.3600
无货