| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | HGT1S10N120BNST |
| 品牌 | onsemi / Fairchild |
| 封装 | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| 描述 | IGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V |
| 系列 | HGT1S10N120BNS |
| 发射极最大电压 | 1.2 kV |
| 射极饱和电压 | 2.45 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 20 V, 20 V |
| 连续集电极电流 | 35 A |
| Pd-功率耗散 | 298 W |
| 最小工作温度 | – 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
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HGT1S10N120BNST
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