| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | HGTD1N120BNS9A |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-252AA |
| 描述 | 描述: 耐压:1.2kV 电流:5.3A IGBT类型:NPT 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):5.3A 功率(Pd):60W HGTD1N120BNS9A 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。 |
| IGBT类型 | NPT |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集电极电流(Ic) | 5.3A |
| 功率(Pd) | 60W |
| 编号 | 编号: C462776 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
HGTD1N120BNS9A
¥5.6900
无货