| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | HGTP10N120BN |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-220 |
| 描述 | 描述: 耐压:1.2kV 电流:35A IGBT类型:NPT 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):35A 功率(Pd):298W |
| IGBT类型 | NPT |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集电极电流(Ic) | 35A |
| 功率(Pd) | 298W |
| 编号 | 编号: C511971 |
| 圆盘 | 50个/管 |
Sold out
HGTP10N120BN
¥41.0000
无货