产品属性 | 属性值 |
型号 | HUF75345P3 |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:TO-220 |
描述 | 描述:此类N沟道功率MOSFET是使用创新的UltraFET工艺生产的。此先进工艺技术可实现每硅面积最低的导通电阻,从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量,二极管具有很短的反向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率效率非常重要的应用,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关,以及便携式和电池运行产品中的电源管理。 |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 75A |
功率(Pd) | 325W |
编号 | C898687 |
圆盘 | 50个/管 |

HUF75345P3
¥10.1634
库存 9 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥10.1634 |
10 - 99 | ¥9.1471 |
100 - 999 | ¥8.6389 |
1000 + | ¥8.1307 |