| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | HUF75639S3ST |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-263AB |
| 描述 | 描述:此类N沟道功率MOSFET是使用创新的UltraFET工艺生产的。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品中的功率管理。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 56A |
| 功率(Pd) | 200W |
| 编号 | C463041 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
Sold out
HUF75639S3ST
¥7.8000
无货