| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | HXY2102EI |
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| 封装 | 封装: SOT-323 |
| 描述 | 描述: N沟道 耐压:20V 电流:2A TS2 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA |
| 类型 | N沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 功率(Pd) | 300mW |
| 编号 | 编号: C5148642 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
HXY2102EI
¥0.1269
库存 13000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.1269 |
| 10 - 99 | ¥0.1142 |
| 100 - 999 | ¥0.1079 |
| 1000 + | ¥0.1016 |