| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | IGD15N65T6ARMA1 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 封装 | 封装: TO-252-3 |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:30A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):30A 功率(Pd):100W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 30A |
| 功率(Pd) | 100W |
| 编号 | 编号: C3191768 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
Sold out
IGD15N65T6ARMA1
¥10,225.0000
无货