| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | IHW30N110R5XKSA1 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 封装 | |
| 描述 | IGBT 晶体管 |
| 系列 | IHW30N110 |
| 发射极最大电压 | 1.1 kV |
| 射极饱和电压 | 1.55 V |
| 栅极/发射极最大电压 | – 25 V, 25 V |
| 连续集电极电流 | 60 A |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
IHW30N110R5XKSA1
¥30.5891
库存 186 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥30.5891 |
| 10 - 99 | ¥27.5302 |
| 100 - 999 | ¥26.0007 |
| 1000 + | ¥24.4713 |