| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | IKD10N60RC2ATMA1 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 封装 | 封装: TO-252-3 |
| 描述 | 描述: 耐压:600V 电流:18.8A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):600V 集电极电流(Ic):18.8A 功率(Pd):79W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集电极电流(Ic) | 18.8A |
| 功率(Pd) | 79W |
| 编号 | 编号: C3191765 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
IKD10N60RC2ATMA1
¥5.8652
库存 4 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥5.8652 |
| 10 - 99 | ¥5.2787 |
| 100 - 999 | ¥4.9854 |
| 1000 + | ¥4.6922 |