欢迎来到GHPCBA.COM               全年质保               联系我们
邮箱:bob@ghchip.cn         电话: +86-18390034300
所有分类
联系电话:+86-0755-82773089

IPD25N06S4L30ATMA2

¥8.3846

库存 51835 件
数量 价格
1 - 9 ¥8.3846
10 - 99 ¥7.5461
100 - 999 ¥7.1269
1000 + ¥6.7077

产品属性 属性值
型号 IPD25N06S4L30ATMA2
品牌 Infineon Technologies
封装 DPAK-3 (TO-252-3)
描述 MOSFET MOSFET
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 60 V
Id-连续漏极电流 25 A
Rds On-漏源导通电阻 30 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 16 V, + 16 V
Pd-功率耗散 29 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 16 V, + 16 V
Qg-栅极电荷 16.3 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 175 C

Search for products

Back to Top
Product has been added to your cart