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IPD90N10S4L06ATMA1

¥21.8090

库存 17259 件
数量 价格
1 - 9 ¥21.8090
10 - 99 ¥19.6281
100 - 999 ¥18.5377
1000 + ¥17.4472

产品属性 属性值
型号 IPD90N10S4L06ATMA1
品牌 Infineon Technologies
封装 DPAK-3 (TO-252-3)
描述 MOSFET MOSFET
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 100 V
Id-连续漏极电流 90 A
Rds On-漏源导通电阻 5.8 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 16 V, + 16 V
Pd-功率耗散 136 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 16 V, + 16 V
Qg-栅极电荷 98 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 175 C

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