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IPW65R029CFD7XKSA1

¥95.7562

库存 185 件
数量 价格
1 - 9 ¥95.7562
10 - 99 ¥86.1806
100 - 999 ¥81.3928
1000 + ¥76.6050

产品属性 属性值
型号 IPW65R029CFD7XKSA1
品牌 Infineon Technologies
封装 TO-247-3
描述 MOSFET HIGH POWER_NEW
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 700 V
Id-连续漏极电流 69 A
Rds On-漏源导通电阻 29 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散 305 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷 145 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

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