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IQE004NE1LM7CGSCATMA1

¥21.9672

库存 4693 件
数量 价格
1 - 9 ¥21.9672
10 - 99 ¥19.7705
100 - 999 ¥18.6721
1000 + ¥17.5738

产品属性 属性值
型号 IQE004NE1LM7CGSCATMA1
品牌 Infineon Technologies
封装 WHTFN-9
描述 MOSFET
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 15 V
Id-连续漏极电流 58 A
Rds On-漏源导通电阻 570 uOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 7 V, + 7 V
Pd-功率耗散 89 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 7 V, + 7 V
Qg-栅极电荷 29 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

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