| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | L6392D |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: SOIC-14 |
| 描述 | 描述: L6392D 负载类型:MOSFET；IGBT 电源电压:12.5V~20V 峰值灌电流:430mA 峰值拉电流:290mA 驱动配置:半桥 |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 电源电压 | 12.5V~20V |
| 峰值灌电流 | 430mA |
| 峰值拉电流 | 290mA |
| 编号 | 编号: C1549314 |
| 圆盘 | 50个/管 |
Sold out
L6392D
¥10.3314
无货
¥10.3314
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | L6392D |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: SOIC-14 |
| 描述 | 描述: L6392D 负载类型:MOSFET；IGBT 电源电压:12.5V~20V 峰值灌电流:430mA 峰值拉电流:290mA 驱动配置:半桥 |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 电源电压 | 12.5V~20V |
| 峰值灌电流 | 430mA |
| 峰值拉电流 | 290mA |
| 编号 | 编号: C1549314 |
| 圆盘 | 50个/管 |