| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | L6393DTR |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: SO-14 |
| 描述 | 描述: L6393DTR 负载类型:MOSFET；IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:430mA 峰值拉电流:290mA 驱动配置:半桥 |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 电源电压 | 10V~20V |
| 峰值灌电流 | 430mA |
| 峰值拉电流 | 290mA |
| 编号 | 编号: C2677096 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
L6393DTR
¥21.9400
无货
¥21.9400
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | L6393DTR |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: SO-14 |
| 描述 | 描述: L6393DTR 负载类型:MOSFET；IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:430mA 峰值拉电流:290mA 驱动配置:半桥 |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 电源电压 | 10V~20V |
| 峰值灌电流 | 430mA |
| 峰值拉电流 | 290mA |
| 编号 | 编号: C2677096 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |