| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MBR120LSFT3G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOD-123FL |
| 描述 | 描述:运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线34封装样式的易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA和PCMCIA卡等便携式和电池供电产品。典型应用为AC-DC和DC-DC转换器、逆向电池保护和多个电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸至关重要的其他应用。 |
| 正向压降(Vf) | 650mV@3A |
| 直流反向耐压(Vr) | 20V |
| 平均整流电流(Io) | 1A |
| 反向电流(Ir) | 400uA@20V |
| 编号 | C896755 |
| 圆盘 | 10000个/圆盘 |
MBR120LSFT3G
¥1.7125
库存 375 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.7125 |
| 10 - 99 | ¥1.5413 |
| 100 - 999 | ¥1.4556 |
| 1000 + | ¥1.3700 |