| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MBRA210LT3G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SMA(DO-214AC) |
| 描述 | 描述:运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率二极管。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。典型应用为AC-DC和DC-DC转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。 |
| 正向压降(Vf) | 350mV@2A |
| 直流反向耐压(Vr) | 10V |
| 平均整流电流(Io) | 2A |
| 反向电流(Ir) | 700uA@10V |
| 编号 | C145190 |
| 圆盘 | 5000个/圆盘 |
MBRA210LT3G
¥8.8300
库存 22 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥8.8300 |
| 10 - 99 | ¥7.9470 |
| 100 - 999 | ¥7.5055 |
| 1000 + | ¥7.0640 |