| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MBT3906DW1T1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SC-70-6(SOT-363) |
| 描述 | 描述: 耐压:40V 电流:200mA 2个PNP 晶体管类型:2个PNP 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V |
| 晶体管类型 | 2个PNP |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 击穿电压 | 150mW |
| 编号 | 编号: C154788 |
| 功率(Pd) | 3000个/圆盘 |
MBT3906DW1T1G
¥0.3672
库存 3545 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.3672 |
| 10 - 99 | ¥0.3305 |
| 100 - 999 | ¥0.3121 |
| 1000 + | ¥0.2938 |