| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MC33153DR2G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOIC-8 |
| 描述 | 描述: 单 IGBT 驱动器 负载类型:MOSFET；IGBT 电源电压:11V~20V 峰值灌电流:2A 峰值拉电流:1A 驱动配置:低边 单 IGBT 驱动器 MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能： |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 电源电压 | 11V~20V |
| 峰值灌电流 | 2A |
| 峰值拉电流 | 1A |
| 编号 | 编号: C457626 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
MC33153DR2G
¥10.2795
库存 6 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥10.2795 |
| 10 - 99 | ¥9.2516 |
| 100 - 999 | ¥8.7376 |
| 1000 + | ¥8.2236 |