| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MIEB101H1200EH |
| 品牌 | IXYS |
| 封装 | E3-Pack |
| 描述 | IGBT 模块 IGBT Module H Bridge |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 发射极最大电压 | 183 A |
| 射极饱和电压 | 200 nA |
| 栅极/发射极最大电压 | 630 W |
| 连续集电极电流 | |
| 配置 | Half Bridge |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
MIEB101H1200EH
¥1,124.5534
库存 3 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1,124.5534 |
| 10 - 99 | ¥1,012.0981 |
| 100 - 999 | ¥955.8704 |
| 1000 + | ¥899.6427 |