| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MJD112-1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: DPAK |
| 描述 | 描述: NPN 耐压:100V 电流:2A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@3V,2A 功率(Pd):1.75W 集电极电流(Ic):2A 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor |
| 类型 | NPN |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 1000@3V,2A |
| 功率(Pd) | 1.75W |
| 编号 | 编号: C154592 |
| 圆盘 | 75个/管 |
Sold out
MJD112-1G
¥5.2900
无货