| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MJD112T4G |
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| 封装 | 封装: TO-252 |
| 描述 | 描述: 100V 2A 半导体*晶体管*三极管 达林顿三极管，TO-25 N达林顿，100V，2A |
| 类型 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | |
| 直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C6939779 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
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MJD112T4G
¥0.8199
无货
¥0.8199
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MJD112T4G |
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| 封装 | 封装: TO-252 |
| 描述 | 描述: 100V 2A 半导体*晶体管*三极管 达林顿三极管，TO-25 N达林顿，100V，2A |
| 类型 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | |
| 直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C6939779 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |