| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MJD122T4 |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: TO-252-2(DPAK) |
| 描述 | 描述: NPN 耐压:100V 电流:8A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@4V,4A 功率(Pd):20W 集电极电流(Ic):8A 内置反向二极管，NPN,100V,16A,20W |
| 类型 | NPN |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 1000@4V,4A |
| 功率(Pd) | 20W |
| 编号 | 编号: C138774 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
MJD122T4
¥4.7800
无货