| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MMBT489LT1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-23 |
| 描述 | 描述: 耐压:30V 电流:1A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):30V 功率(Pd):710mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,5V 此高电流 NPN 双极晶体管适用于便携式应用中的负载管理。 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 1A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V |
| 击穿电压 | 710mW |
| 编号 | 编号: C111939 |
| 功率(Pd) | 3000个/圆盘 |
MMBT489LT1G
¥0.8781
库存 140 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.8781 |
| 10 - 99 | ¥0.7903 |
| 100 - 999 | ¥0.7464 |
| 1000 + | ¥0.7025 |