| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MMBT8050D |
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| 封装 | 封装: SOT-23 |
| 描述 | 描述: 耐压:25V 电流:600mA PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):400@100mA,1V |
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 600mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V |
| 击穿电压 | 350mW |
| 编号 | 编号: C411762 |
| 功率(Pd) | 3000个/圆盘 |
MMBT8050D
¥0.1015
库存 2700 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.1015 |
| 10 - 99 | ¥0.0914 |
| 100 - 999 | ¥0.0863 |
| 1000 + | ¥0.0812 |