| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MMDT3904DW |
| 品牌 | CBI(创基) |
| 封装 | 封装: SOT-363 |
| 描述 | 描述: 耐压:40V 电流:200mA 2个NPN 晶体管类型:2个NPN 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V K6N(K6N表示丝印) |
| 晶体管类型 | 2个NPN |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 击穿电压 | 200mW |
| 编号 | 编号: C2828437 |
| 功率(Pd) | 3000个/圆盘 |
MMDT3904DW
¥0.1023
库存 31000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.1023 |
| 10 - 99 | ¥0.0921 |
| 100 - 999 | ¥0.0870 |
| 1000 + | ¥0.0818 |