| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MMDT5551DW |
| 品牌 | CBI(创基) |
| 封装 | 封装: SOT-363 |
| 描述 | 描述: MMDT5551DW G1 |
| 晶体管类型 | |
| 集电极电流(Ic) | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | |
| 击穿电压 | |
| 编号 | 编号: C2919803 |
| 功率(Pd) | 3000个/圆盘 |
MMDT5551DW
¥0.1744
库存 2800 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.1744 |
| 10 - 99 | ¥0.1569 |
| 100 - 999 | ¥0.1482 |
| 1000 + | ¥0.1395 |
¥0.1744
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.1744 |
| 10 - 99 | ¥0.1569 |
| 100 - 999 | ¥0.1482 |
| 1000 + | ¥0.1395 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MMDT5551DW |
| 品牌 | CBI(创基) |
| 封装 | 封装: SOT-363 |
| 描述 | 描述: MMDT5551DW G1 |
| 晶体管类型 | |
| 集电极电流(Ic) | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | |
| 击穿电压 | |
| 编号 | 编号: C2919803 |
| 功率(Pd) | 3000个/圆盘 |