| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MUN5114DW1T1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOT-363 |
| 描述 | 描述:此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管(BRT)包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该BRT将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用BRT既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。 |
| 晶体管类型 | 2个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 250mW |
| 编号 | C274589 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
MUN5114DW1T1G
¥0.2561
库存 3160 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.2561 |
| 10 - 99 | ¥0.2305 |
| 100 - 999 | ¥0.2177 |
| 1000 + | ¥0.2049 |