| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MUN5133DW1T1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-363 |
| 描述 | 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:2个PNP-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V 此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。 |
| 晶体管类型 | 2个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 250mW |
| 编号 | 编号: C891816 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
MUN5133DW1T1G
¥0.9311
库存 939 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.9311 |
| 10 - 99 | ¥0.8380 |
| 100 - 999 | ¥0.7914 |
| 1000 + | ¥0.7449 |