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MUN5211DW1T1G

¥0.3515

库存 1190 件
数量 价格
1 - 9 ¥0.3515
10 - 99 ¥0.3163
100 - 999 ¥0.2988
1000 + ¥0.2812
产品属性 属性值
型号 MUN5211DW1T1G
品牌 onsemi(安森美)
封装 封装:
SOT-363
描述 描述:
电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:2个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):187mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
晶体管类型 2个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo) 50V
集电极电流(Ic) 100mA
功率(Pd) 187mW
编号 编号:
C152507
圆盘 3000个/圆盘

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