| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MUN5211DW1T1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOT-363 |
| 描述 | |
| 晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 187mW |
| 编号 | C152507 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
MUN5211DW1T1G
¥0.3932
库存 660 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.3932 |
| 10 - 99 | ¥0.3539 |
| 100 - 999 | ¥0.3342 |
| 1000 + | ¥0.3146 |
¥0.3932
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.3932 |
| 10 - 99 | ¥0.3539 |
| 100 - 999 | ¥0.3342 |
| 1000 + | ¥0.3146 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MUN5211DW1T1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOT-363 |
| 描述 | |
| 晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 187mW |
| 编号 | C152507 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |