| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MUN5216DW1T1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-363 |
| 描述 | 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:2个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V 该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。 |
| 晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 250mW |
| 编号 | 编号: C146778 |
| 圆盘 |
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MUN5216DW1T1G
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