| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MUN5230DW1T1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 描述 | |
| 晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 250mW |
| 编号 | C891827 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
MUN5230DW1T1G
¥1.5315
库存 100 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.5315 |
| 10 - 99 | ¥1.3784 |
| 100 - 999 | ¥1.3018 |
| 1000 + | ¥1.2252 |
¥1.5315
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.5315 |
| 10 - 99 | ¥1.3784 |
| 100 - 999 | ¥1.3018 |
| 1000 + | ¥1.2252 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MUN5230DW1T1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 描述 | |
| 晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 250mW |
| 编号 | C891827 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |